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SiC肖特基勢壘二極管

SiC器件具有出色的特性，能夠實現高耐壓、低功耗、高頻動作和高溫動作。使用SiC的功率半導體能夠實現大幅節能和安裝產品的小型化、輕量化。

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SiC-SBD系列

接線	VRRM (V)	Io (A)	TO-220	TO-220F	TO-247	T-Pack(s)
單管	650	6	FDCP06S65	FDCA06S65
		8	FDCP08S65	FDCA08S65
		10	FDCP10S65	FDCA10S65	FDCY10S65	FDCC10S65
		25	FDCP25S65	FDCA25S65	FDCY25S65	FDCC25C65
	1200	18		FDCA18S120	FDCY18S120
雙管	650	20	FDCP20C65	FDCA20C65	FDCY20C65	FDCC20C65
	650	50			FDCY50C65
	1200	36			FDCY36C120

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