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            功率半導體(IGBT)
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            EV、HEV用IGBT IPM
        
          
        
          
            
            
          
                
          EV、HEV用IGBT IPM
          
                
                
          內置有驅動電路和保護功能的EV、HEV用IGBT IPM
          
            
          
            
          
        
          
    
          
    
          

          

          
    
    
          
        
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			EV、HEV用IGBT IPM 1200V級
		
          
	
          
	
          
		（Tj=25°C）
	
          
	
          
		
			
          
				
					Package
				
				
					Device type
				
				
					VCES
          
Volt
				          		
				
					IC（Cont）
          
Amps.
				          		
				
					VCE（sat）
          
Typ. Volts
				          		
				
					VF
          
Typ. Volts
				          		
				
					Net mass Grams
				
			
          
		          
		
			
          
			
          
			
          
				
					
          
P401
				          		
				
					2MBP600UN-120V
				
				
					1200
				
				
					600
				
				
					2.00
				
				
					2.20
				
				
					680g
				
			
          
		          
	
          
	
          
		：新產品
	
          
	
          
		：更新
	
          
	
          
		：開發中
	
          
	
          
		  
		
          
			
          
		
          
	
          

                          
                
          
            
          
                    
          
    
          
    
    
    
    
          

          

          

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