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EV、HEV用IGBT模塊

采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外，還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

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EV、HEV用IGBT模塊 650V級

※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。

VCE（sat）: at Tj=25°C, Chip

Package	Device type	VCES Volt	IC（Cont） Amps.	IC（Peak） Amps.	VCE（sat） Typ. Volts	VF Typ. Volts	Net mass Grams
Package	Device type	VCES Volt	IC（Cont） Amps.	IC（Peak） Amps.	VCE（sat） Typ. Volts	VF Typ. Volts	Net mass Grams
M651	6MBI400VW-065V	650	200	400	2.00 （IC=400A）	1.70 （IF=400A）	660g
M652	6MBI600VW-065V	650	300	600	2.00 （IC=600A）	1.70 （IF=600A）	900g

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